Од микроелектроника до наноелектроника

Предмет: Од микроелектроника до наноелектроника

Код: 3ФЕИТ05012

Број на ЕКТС кредити: 6 ЕКТС

Неделен фонд на часови: 3+0+0+3

Наставник: Вон. проф. д-р Катерина Ралева

Цели на предметната програма (компетенции): Целта на предметот е студентот да се стекне со основни знаења од микроелектронските и наноелектронските технологии, да ги разбере ограничувањата во електронскиот дизајн со скалирање на CMOS технологијата и новите типови на транзисторски архитектури. По завршување на курсот, студентот ќе биде оспособен за примена на новите нанометарски транзистори и мемории во идниот дизајн на електронските кола и системи.

Содржина на предметната програма: Микроелектронски технологии (подготовка на материјалот, литографија, дифузија, нагризување, јонска имплантација, интерконекции, пакување). MOS – кондензатор. MOSFET транзистор со долг канал и со краток канал. Карактеристики на CMOS технологијата. State-of-the-art во Si-CMOS технологијата во контекст на Муровиот закон. Скалирање на MOSFET транзисторот.  Феномени карактеристични за длабоко-подмикрометарските електронски елементи. Граници на скалирање на  CMOS технологиите (bulk-CMOS, SOI-CMOS). Нови типови архитектури на електронските елементи (Fully Depleted SOI MOSFET-FD SOI, Double-gate MOS transistor -DGMOS, FinFET, gate-all-around transistor – GAA). Полупроводнички мемории (SRAM, DRAM и флеш).  Интеграција на технологии. BiCMOS – процес, интегрирана оптоелектроника.  Воведни концепти за нанотехнологија.  Методи на фабрикација на наноматеријалите и наноструктурите (top-down, bottom-up, self – assembly).  Наноелектроника: Single Electron Transistor (SET), Nanowire Transistors, Carbon Nanotube Transistor (CNT), ReRAM, мемории со неколку електрони (few electron memories).

Литература: