Моделирање и симулација на полупроводнички електронски елементи

Објавено: февруари 28, 2019

Предмет: Моделирање и симулација на полупроводнички електронски елементи

Код: 3ФЕИТ12004

Број на ЕКТС кредити: 6 ЕКТС

Неделен фонд на часови:3+0+0+3

Наставник: Проф. д-р Драгица Василеска

Цели на предметната програма (компетенции): Курсот нуди продлабочено знаење во моделирањето на полупроводничките елементи на физичко ниво. Студентот ќе биде оспособен да дизајнира дрифтно-дифузен симулатор и симулатор на електронски елементи базиран на честички и ќе може да дизајнира нови симулациски методи потребни за моделирање на современите нанометарски електронски елементи.

Содржина на предметната програма: Компјутациона електроника: Историја на развојот на транзисторите. Зошто компјутациона електроника? Физика на полупроводнички елементи: Енергетска структура на полупроводници, динамика на подвижни носители, полукласична транспортна теорија, Болцманова транспортна равенка, процеси на расејување, RTA апроксимација. Преглед на нумерички анализи: директни и итеративни методи. Дрифтно-дифузен модел (ДД): физички ограничувања, методи за решавање на ДД-равенки, примери за примена на ДД-равенките. Моделирање на подвижност на носители на електрицитет: модели  за подвижност на носители што се користат во комерцијални симулатори. Хидродинамички модел. Комерцијални симулатори: PADRE, Silvaco и DESSIS. Модели на струјата на тунелирање низ гејтот: типови тунелирање низ гејтот. Квантни ефекти.

Литература:

Задолжителна литература
Бр.АвторНасловИздавачГодина
1Dragica Vasileska and Stephen M. GoodnickComputational ElectronicsMorgan and Claypool2006
Дополнителна литература
Бр.АвторНасловИздавачГодина
1Kazutaka TomizawaNumerical Simulation of Submicron Semiconductor DevicesArtech House1993