Предмет: Моделирање и симулација на полупроводнички електронски елементи
Код: 3ФЕИТ12004
Број на ЕКТС кредити: 6 ЕКТС
Неделен фонд на часови:3+0+0+3
Наставник: Проф. д-р Драгица Василеска
Цели на предметната програма (компетенции): Курсот нуди продлабочено знаење во моделирањето на полупроводничките елементи на физичко ниво. Студентот ќе биде оспособен да дизајнира дрифтно-дифузен симулатор и симулатор на електронски елементи базиран на честички и ќе може да дизајнира нови симулациски методи потребни за моделирање на современите нанометарски електронски елементи.
Содржина на предметната програма: Компјутациона електроника: Историја на развојот на транзисторите. Зошто компјутациона електроника? Физика на полупроводнички елементи: Енергетска структура на полупроводници, динамика на подвижни носители, полукласична транспортна теорија, Болцманова транспортна равенка, процеси на расејување, RTA апроксимација. Преглед на нумерички анализи: директни и итеративни методи. Дрифтно-дифузен модел (ДД): физички ограничувања, методи за решавање на ДД-равенки, примери за примена на ДД-равенките. Моделирање на подвижност на носители на електрицитет: модели за подвижност на носители што се користат во комерцијални симулатори. Хидродинамички модел. Комерцијални симулатори: PADRE, Silvaco и DESSIS. Модели на струјата на тунелирање низ гејтот: типови тунелирање низ гејтот. Квантни ефекти.
Литература:
| Задолжителна литература | ||||
| Бр. | Автор | Наслов | Издавач | Година |
| 1 | Dragica Vasileska and Stephen M. Goodnick | Computational Electronics | Morgan and Claypool | 2006 |
| Дополнителна литература | ||||
| Бр. | Автор | Наслов | Издавач | Година |
| 1 | Kazutaka Tomizawa | Numerical Simulation of Submicron Semiconductor Devices | Artech House | 1993 |
