1. | Наслов на наставниот предмет | Енергетски електронски елементи | |||||||||||
2. | Код | 4ФЕИТ05012 | |||||||||||
3. | Студиска програма | 18-ЕНЕЛ | |||||||||||
4. | Организатор на студиската програма
(единица, односно институт, катедра, оддел) |
Факултет за електротехника и информациски технологии | |||||||||||
5. | Степен (прв, втор, трет циклус) | Втор циклус студии | |||||||||||
6. | Академска година/семестар | I/1 | 7. | Број на ЕКТС кредити | 6.00 | ||||||||
8. | Наставник | Д-р Катерина Ралева | |||||||||||
9. | Предуслов за запишување на предметот | ||||||||||||
10. | Цели на предметната програма (компетенции):
Главната цел на овој предмет е да го воведе студентот во поважните технологии на полупроводнички електронски елементи наменети за апликации во енергетската електроника. По завршување на предметот, студентот ќе биде оспособен за: • ги разбира концептите и барањата поврзани со енергетските прекинувачки елементи, • има знаење за карактеристиките на новите материјали и елементи во енергетската електроника (SiC и GaN), • ја разбира физиката на енергетските електронски елементи • знае да избере и примени физички модели на енергетските електронски елементи при симулација на кола и системи од енергетска електроника • знае да дизајнира драјверски кола и заштитни кола за енергетските електронски елементи • ги разбира термичките карактеристики на енергетските електронски елементи и е способен да дизајнира ладилно тело за нив. |
||||||||||||
11. | Содржина на програмата:
Трендови во развојот на енергетските електронски елементи. Споредба во дизајнот на енергетските електронски елементи и електронските елементи за мала моќност. Примена на материјали со голема широчина на забранетата зона (SiC и GaN) во технологијата на полупроводнички елементи. Напречен пресек, принцип на работа, статички и динамички карактеристики и подрачја на безбедна работа на: -енергетски диоди во Si, SiC и GaN технологија -енергетски биполарен транзистор, тиристор, енергетски мосфет во силициумска технологија, IGBT – SiC транзистор, GaN HEMT транзистор Драјверски и снабер кола. Термичка анализа. Моделирање и симулација на динамичките карактеристики на енергетските електронски елементи. |
||||||||||||
12. | Методи на учење:
Комбиниран начин на учење: предавања подржани со презентации и визуелизација на концептите, домашни задачи и проект. |
||||||||||||
13. | Вкупен расположив фонд на време | 180 | |||||||||||
14. | Распределба на расположивото време | 3 + 3 | |||||||||||
15. | Форми на наставните активности | 15.1 | Предавања – теоретска настава | 45 часови | |||||||||
15.2 | Вежби (лабораториски, аудиториски), семинари, тимска работа | 45 часови | |||||||||||
16. | Други форми на активности | 16.1 | Проектни задачи | 30 часови | |||||||||
16.2 | Самостојни задачи | 30 часови | |||||||||||
16.3 | Домашно учење | 30 часови | |||||||||||
17. | Начин на оценување | ||||||||||||
17.1 | Тестови | 40 бодови | |||||||||||
17.2 | Семинарска работа/проект (презентација: писмена и усна) | 40 бодови | |||||||||||
17.3. | Активност и учење | 20 бодови | |||||||||||
17.4. | Завршен испит | 0 бодови | |||||||||||
18. | Критериуми за оценување (бодови/оценка) | до 50 бода | 5 (пет) (F) | ||||||||||
од 51 до 60 бода | 6 (шест) (E) | ||||||||||||
од 61 до 70 бода | 7 (седум) (D) | ||||||||||||
од 71 до 80 бода | 8 (осум) (C) | ||||||||||||
од 81 до 90 бода | 9 (девет) (B) | ||||||||||||
од 91 до 100 бода | 10 (десет) (A) | ||||||||||||
19. | Услов за потпис и полагање на завршен испит | изработени домашни и проектни задачи | |||||||||||
20. | Начин на полагање на испитот | писмено-тестови и усна презентација на завршен проект | |||||||||||
21. | Јазик на кој се изведува наставата | Македонски и Англиски | |||||||||||
22. | Метод на следење на квалитетот на наставата | Интерна евалуација и анкети | |||||||||||
23. | Литература | ||||||||||||
23.1. | Задолжителна литература | ||||||||||||
Ред.
број |
Автор | Наслов | Издавач | Година | |||||||||
1. | B. J. Baliga | Fundamentals of Power Semiconductor Devices,
2nd Ed |
Springer International Publishing | 2019 | |||||||||
2. | N. Mohan, T. Undeland, W. Robbins | Power Electronics: Converters, Applications and Design,3rd Ed | Wiley | 2002 | |||||||||
23.2. | Дополнителна литература | ||||||||||||
Ред.
број |
Автор | Наслов | Издавач | Година | |||||||||
1. | B. J. Baliga | Advanced Power MOSFET Concepts | Springer | 2010 | |||||||||
2. | Alex Lidow, Michael de Rooij, Johan Strydom, David Reusch and John Glaser | GaN Transistors for Efficient Power Conversion, 3rd Edition | John Wiely and Sons Ltd. | 2020 |