Од микроелектроника до наноелектроника

(единица, односно институт, катедра, оддел)

Целта на предметот е студентот да се стекне со основни знаења од микроелектронските и наноелектронските технологии, да ги разбере ограничувањата во електронскиот дизајн со скалирање на CMOS технологијата и новите типови на транзисторски архитектури. По завршување на курсот, студентот ќе биде оспособен за примена на новите нанометарски транзистори и мемории во идниот дизајн на електронските кола и системи.

Микроелектронски технологии (подготовка на материјалот, литографија, дифузија, нагризување, јонска имплантација, интерконекции, пакување). MOS – кондензатор. MOSFET со долг канал и MOSFET со краток канал. Скалирање на MOSFET транзисторот. Феномени карактеристични за длабоко-подмикрометарските електронски елементи. Карактеристики на CMOS технологијата. State-of-the-art во Si-CMOS технологијата во контекст на Муровиот закон.  Граници на скалирање на CMOS технологиите (bulk-CMOS, SOI-CMOS). Нови типови архитектури на електронските елементи (Fully Depleted SOI MOSFET, Double-gate MOS transistor, FinFET, gate-all-around transistor – GAA). Полупроводнички мемории (SRAM, DRAM и флеш). Интеграција на технологии. BiCMOS – процес, интегрирана оптоелектроника. Воведни концепти за нанотехнологија. Методи на фабрикација на наноматеријалите и наноструктурите (top-down, bottom-up, self – assembly). Наноелектроника: Single Electron Transistor (SET), Nanowire Transistors, Carbon Nanotube Transistor (CNT), ReRAM, мемории со неколку електрони (few electron memories).

Комбиниран начин на учење: предавања подржани со презентации и визуелизација на концептите, проектни задачи.

број

број