|
1. Наслов на наставниот предмет |
Вовед во наноелектроника | |||||||
|
2. Код |
3ФЕИТ05Л008 | |||||||
|
3. Студиска програма |
КХИЕ | |||||||
|
4. Организатор на студиската програма |
Факултет за електротехника и информациски технологии | |||||||
|
5. Степен |
Прв циклус студии | |||||||
|
6. Академска година/семестар |
IV/8 |
7. Број на ЕКТС |
6.00 | |||||
|
8. Наставник |
Д-р Катерина Ралева | |||||||
|
9. Предуслов за запишување на предметот |
||||||||
|
10. Цели на предметната програма (компетенции): Запознавање со принципот на работа на новите генерации електронски елементи реализирани со квантни точки и квантни жици. Ги разбира основните принципи на квантната физика и физиката на цврсто тело. По завршувањето на курсот, студентот ќе биде оспосебен за примена на нанометарските електронски елементи во електронските кола и ќе има основа за разбирање на идните нанометарски елементи и структури што ќе се применуваат во електрониката по CMOS технологијата. |
||||||||
|
11. Содржина на програмата: Вовед во нанотехнологија – top-down и bootom-up пристап. Вовед во квантна физика – основни постулати, Шредингерова равенка, бранова функција. Потенцијална јама, потенцијална бариера. Квантизација Тунелирање. Електронска статистика – Ферми-Диракова функција. Функција на густина на квантни состојби за: 0-, 1-, 2- и 3- димензионални структури. Електронска струја. Двотерминални електронски елементи со квантна точка и двотерминални електронски елементи со квантна жица. Модел на електронски елемент со квантна точка/квантна жица за мали сигнали. Струјно-напонска карактеристика. Молекуларен FET – принцип на работа. еквивалентен модел за големи сигнали. FET со квантна точка и FET со квантна жица. Балистички и небалистички MOSFET.Технолошки и термодинамички граници на силициумската CMOS технологија. Идни правци во развојот на електрониката. |
||||||||
|
12. Методи на учење: Комбиниран начин на учење: предавања, аудиториски и лабораториски вежби, подржани со презентации и визуелизација на концептите, активно учество на студентите преку тестови и задачи за решавање на час. |
||||||||
|
13. Вкупен расположив фонд на часови |
3 + 1 + 1 + 0 | |||||||
|
14. Распределба на расположивото време |
180 | |||||||
|
15. Форми на наставните активности |
15.1. Предавања – теоретска настава |
45 |
||||||
|
15.2. Вежби, семинари, тимска работа |
30 |
|||||||
|
16. Други форми на активност |
16.1. Проектни задачи |
0 |
||||||
|
16.2. Самостојни задачи |
15 |
|||||||
|
16.3. Домашно учење |
90 |
|||||||
|
17. Начини на оценување |
17.1. Тестови |
20 |
||||||
|
17.2. Семинарска работа/проект |
|
|||||||
|
17.3. Активност и учење |
10 |
|||||||
|
17.4. Завршен испит |
70 |
|||||||
|
18. Критериуми за оценување |
до 50 бодови |
5 (пет) (F) |
||||||
|
од 51 до 60 бодови |
6 (шест) (E) |
|||||||
|
од 61 до 70 бодови |
7 (седум) (D) |
|||||||
|
од 71 до 80 бодови |
8 (осум) (C) |
|||||||
|
од 81 до 90 бодови |
9 (девет) (B) |
|||||||
|
од 91 до 100 бодови |
10 (десет) (A) |
|||||||
|
19. Услов за потпис и полагање на завршен испит |
Следење на предавањата и аудиториските вежби и успешно изведени лабораториски вежби. | |||||||
|
20. Начин на полагање на испитот |
Во текот на семестарот се предвидени два парцијални писмени испити (на половина и на крај од семестарот, во времетраење од 120 минути). Ако студентот не ги положи парцијалните испити може во предвидените испитни сесии да полага писмен испит (времетраење 120 минути). За време на наставата се бодува активноста на студентот. Студентот треба да изработи проектна задача и истата да ја предаде најдоцна до крајот на сесијата која следи по крајот на семестарот. Во конечната оценка влeгуваат поените од парцијалните испити или испитот, активноста и проектната задача. За време на испитот не е дозволено користење книги, скрипти, ракописи или белешки од кој било вид, како и калкулатор, мобилен телефон, таблет или кој било друг електронски уред |
|||||||
|
21. Јазик на кој се изведува наставата |
Македонски и Англиски | |||||||
|
22. Метод на следење на квалитетот на наставата |
Интерна евалуација и анкети. | |||||||
|
23. Литература |
||||||||
|
23.1. Задолжителна литература |
||||||||
|
Бр. |
Автор |
Наслов |
Издавач |
Година |
||||
|
1 |
Marc Baldo | Introduction to Nanoelectronics | MITOpenCourseWare Publication | 2010 | ||||
|
23.2. Дополнителна литература |
||||||||
|
Бр. |
Автор |
Наслов |
Издавач |
Година |
||||
|
1 |
D. Vasileska, S.M. Goodnick, G. Klimeck | Computational Electronics: Semiclassical and Quantum Device Modeling and Simulation | CRC Press, Taylor & Francis Group | 2010 | ||||
